製造・検査装置

PLマッパー

製造・検査装置

PLマッパー

独自の加工による高速レーザースクライビング装置

LEDの明るさ・波長・選別ができる高性能検査装置
Alpha 3200/3200Fの紹介

メーカー情報
ワイズシステムズ
 メーカーサイト
PLマッパー
基本型式YWAFER-GS6YWAFER-GS6-RTYWAFER-GS6-RYWAFER-GS6-PL
光学範囲および感度型式一覧 UVVIS： 280～850nm
VISNIR： 350～1030nm
UVNIR： 200～1100nm
NIR： 900～1600nm (近赤外対応冷却InGaAsディテクタ)
540NIR： 540～1100nm (赤色高感度)
UVNIR-HISENS： 200～1100nm (紫外高感度)
対応ウェハサイズ 2、3、4、6インチ
GS6-RDHLD： 1/4切断ウェハトレイ (オプション)
GS6-2.5HLD： 2.5インチウェハトレイ (オプション)
GS6-2x3HLD： 2インチウェハ×3 対応トレイ (オプション)
ウェハ搬送 手動
マッピング間隔 0.04mm～(0.1mm 精度)
透過光による測定 測定項目 平均透過率
膜厚 (GaN膜厚換算)		 使用不可
精度
／再現性		 1％以内 (0.5～50μmのGaN膜の場合)
／10nm 以内		 使用不可
反射光による測定 測定項目 使用不可 平均反射率
膜厚 (GaN膜厚換算)
表面の粗さ／拡散
DBR (分布ブラッグ反射鏡)特性		 使用不可
精度
／再現性		 使用不可 1％以内 (0.5～50μmのGaN膜の場合)
／10nm 以内		 使用不可
フォトルミネッセンス(PL)測定 測定項目 ピーク波長／相対積分強度／相対ピーク強度／半値幅(FWHM)
／主波長（CIE波長）
波長解像度 ～0.3 nm (ただしUVNIR-HISENS では～0.7nm、NIR では～2.0nm)
光強度精度 3％ (相対ピーク強度/相対積分強度・YWafer強度校正機能使用時)
ピーク波長繰り返し精度 < 1nm (ピーク波長/半値幅)
最小半値幅 ～1.5 nm
PL励起レーザー種類
(最大4台まで)		 266nm、325nm (外付・光ファイバー使用)、375nm、405nm、532nm
他応談
制御 接続インタフェース PC-based USB／デジタル I/O
ユーザーインタフェース／言語 Microsoft Windows™ XP 搭載PC／日本語または英語 (ユーザー選択)
他オプション GS-SPCFLT： 光減衰及び波長フィルタ制御
GS-LASFLT： レーザ強度フィルタ制御
GS-CUSTHLD： カスタムサンプルトレイ
GS-TURBOSCAN： 高速スキャン対応 (PL測定のみ)

ソフトウエア

バージョン YWaferController v3.06
プログラム言語 マルチスレッド Visual C++
オペレーションモード オペレータ、エンジニア、メンテナンス
特徴 内部干渉の影響を除去した再現性の高いスペクトル解析

性能

ウェハあたり処理時間 手動ウェハ投入／取り出し ～20 sec(オペレータ依存)
基準値(値の補正用)測定 < 4 sec
参考：2インチウェハ測定時 (min：sec)
通常高速(オプション)
0.5mm間隔 (7429点測定)7:553:26
1mm間隔 (1868点測定)2:341:02
2mm間隔 ( 468点測定)0:510:31

取り扱い仕様 (本体)

動作・設置環境 場所 クリーンルーム(クラス 1000～10000)内
温度 15～35℃
湿度 < 85％RH (ただし結露しない条件)
寸法 縦540×横640×高さ300mm
重量 40 kg
入力電圧 AC 100～240 V　50/60 Hz
消費電力 120W以下

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